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霍爾式接近開關結構原理

 發布時間:2020-12-18 點擊量:1023

霍爾式接近開關結構原理

當一塊金屬或半導體薄片垂直電流磁場,可以產生晶片的兩端的電位差,這一現象稱為霍爾效應。兩端與潛在價值稱為霍爾電壓U,其表達式

U=K·I·B/d

霍爾系數K,我對當前在晶片,B的附加磁場磁感應強度(洛倫磁力Lorrentz),d是鋼板的厚度。

因此,霍爾效應的靈敏度和磁感應強度和磁場成正比關系?;魻栃韴D這種活躍的磁電轉換設備大廳開關,它是基于霍爾效應原理,使用集成包裝和裝配過程,它可以很容易地將磁性輸入信號轉換成電信號在實踐中,同時與工業應用操作簡單和可靠性要求。

霍爾開關的輸入端特點是磁感應強度B,B值達到一定水平時(B1),大廳內開關觸發翻轉,霍爾開關狀態的輸出水平翻轉。常用的輸出晶體管輸出,和類似的NPN型和PNP型接近開關,常開、常閉,門閂式(雙極性),雙信號輸出。

霍爾開關沒有電擊,功耗,壽命長,響應頻率等,內部使用環氧樹脂涌入集成,所以它可以在各種惡劣環境和可靠的工作?;魻栭_關可用于接近開關,壓力開關,儀表,等,是一種新型的電器配件。

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